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J-GLOBAL ID：200903027117120008

半導体発光装置

Inventor：
上田 孝

About 上田 孝


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999029192
Publication number (International publication number)：2000228544
Application date： Feb. 05, 1999
Publication date： Aug. 15, 2000
Summary：
【要約】【課題】 一次樹脂封止体の表面または表面近傍に、半導体発光素子の発光波長を他の波長に変換する波長変換材料層を設けることにより、樹脂封止体によるレンズ機能を損なうことなく、発光素子の波長が所望の波長に変換されるようにする。【解決手段】 半導体発光装置は、半導体発光素子2を収容して載置するカップ10と、カップ10内に載置された半導体発光素子2を封止する一次樹脂封止体3と、一次樹脂封止体3を封止しレンズ機能を有する二次樹脂封止体6と、を有する。一次樹脂封止体3の表面または表面近傍に、半導体発光素子の発光波長を他の波長に変換する波長変換材料層4が設けられている。
Claim (excerpt)：
半導体発光素子を収容して載置するカップと、該カップ内に載置された半導体発光素子を封止する一次樹脂封止体と、該一次樹脂封止体を封止しレンズ機能を有する二次樹脂封止体と、を有する半導体発光装置であって、該一次樹脂封止体の表面または表面近傍に、半導体発光素子の発光波長を他の波長に変換する波長変換材料層が設けられている半導体発光装置。
F-Term (14)：
5F041AA06 ,  5F041AA11 ,  5F041CA34 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA77 ,  5F041DA12 ,  5F041DA18 ,  5F041DA26 ,  5F041DA44 ,  5F041DA46 ,  5F041DA57 ,  5F041DB01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 発光ダイオードの形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-188745   Applicant：日亜化学工業株式会社
  • 半導体発光装置及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-005109   Applicant：株式会社東芝
  • 特開昭60-101980
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