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J-GLOBAL ID：200903027132218146

改善された誘電特性を有する薄膜タンタル酸化物層及びそのような層を用いた容量の作製方法

Inventor： ロバート ジェー.カヴァ ,  シャン ワイ.ホー ,  ジュエイナイ レイニアン クオ ,  エリック ダブリュ.シーリッグ ,  ロデリック ケー.ワッツ
Applicant, Patent owner： ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
Agent (1)： 岡部 正夫 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997126139
Publication number (International publication number)：1998093051
Application date： May. 16, 1997
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 改善された誘電特性を有する薄膜タンタル酸化物層及びそのような層を用いた容量の作製方法【解決手段】 本発明の出願人はTiO2 ドーピングを行うか又は行わずに、誘電定数が増大したタンタル酸化物を含む薄膜の作製方法を発見した。具体的には、出願人は450°Cを越える温度、好ましくは550°Cを越える温度において、酸素を多く含む雰囲気中で、Ta2 O5 をスパッタリングすることにより、改善された誘電特性を有する新しい結晶層が生じることを発見した。

Claim (excerpt)：

タンタル酸化物またはタンタルと基板を含むスパッタリングターゲットを準備する工程;不活性ガスと少なくとも2μmHgの分圧を有する酸素の混合物を含む低圧雰囲気中に、前記ターゲットと前記基板を配置する工程;前記基板を450°Cを越える温度に加熱する工程;及び前記基板上に、前記ターゲットからの材料をスパッタリングし、それによって60を越える誘電定数をもつ結晶層のタンタル酸化物を含む層上に形成するため、前記ターゲットにイオンを照射する工程;を含む改善された誘電特性を有するタンタル酸化物を含む層の成長方法。

IPC (7)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (5)：

H01L 27/10 651 ,  C23C 14/08 G ,  C23C 14/34 N ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体メモリ装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-213379   Applicant：三星電子株式会社
• マイクロエレクトロニクス構造とその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-007170   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド