半導体基板の洗浄方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：須田正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997005611
Publication number (International publication number)：1998209100
Application date： Jan. 16, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】基板表面に付着する金属不純物・微粒子の双方を良好に除去する。【解決手段】半導体基板11を有機酸とフッ酸を混合したpHが2〜6の混合液15で洗浄した後、この基板を酸化液で洗浄する。汚染基板11を混合液に浸漬するとフッ酸により基板表面の自然酸化膜12が除かれ、膜上の微粒子13、金属不純物14及び膜中の金属不純物が液中に移行する(b)。混合液がpH2〜6の酸性溶液であるため微粒子は基板表面と同じマイナスに荷電されるとともに有機酸の錯化効果により液中の金属不純物イオンはマイナスの錯イオンとなる。この結果、微粒子も金属不純物もそれぞれの表面電位が基板の表面電位と同じマイナスになるため、基板への付着又は再付着が防止される(c)。この基板を酸化液に浸漬すると、酸化液により基板表面に親水性の酸化膜が形成され、金属不純物を錯化しないで基板表面に付着していた有機酸や有機物を分解除去する。

Claim (excerpt)：

半導体基板を有機酸とフッ酸を混合したpHが2〜6である混合液で洗浄する第1洗浄工程と、前記半導体基板を酸化液で洗浄する第2洗浄工程とを含む半導体基板の洗浄方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 341 , H01L 21/304

FI (2)：

H01L 21/304 341 L , H01L 21/304 341 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-144131
液中異物付着制御法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-226873 Applicant：株式会社日立製作所
洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-000905 Applicant：大見忠弘

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