シリコン単結晶ウエーハの洗浄方法および洗浄装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：山本亮一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995018024
Publication number (International publication number)：1996213354
Application date： Feb. 06, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】シリコン単結晶ウエーハの洗浄において、表面金属不純物と表面パーティクルを同時に除去することができ、しかも工程を短縮することができるウエーハの洗浄方法およびその洗浄装置の提供を目的とする。【構成】重量濃度で、0.05〜20重量%の弗化水素を含む水溶液で構成される洗浄液4を貯留した洗浄槽1中に、シリコン単結晶ウエーハWを浸漬し、これに100kHz以上で3MHz以下の超音波を作用させて洗浄する。

Claim (excerpt)：

重量濃度で、0.05〜20%の弗化水素を含む水溶液で構成される洗浄液中にシリコン単結晶ウエーハを浸漬し、これに100kHz以上で3MHz以下の超音波を作用させて洗浄することを特徴とするシリコン単結晶ウエーハの洗浄方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 341 , H01L 21/304

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

液中異物付着制御法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-226873 Applicant：株式会社日立製作所
特開平4-026120
シリコンウエハ表面の処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-220622 Applicant：ダイキン工業株式会社

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