Pat
J-GLOBAL ID：200903027222132585

硼素炭素窒素酸素化合物の成膜方法並びに前記方法で得られた膜、基板、デバイス

Inventor：
杉野 隆

About 杉野 隆

, 
木村 千春

About 木村 千春

, 
青木 秀充

About 青木 秀充


Applicant, Patent owner：
国立大学法人大阪大学

About 国立大学法人大阪大学


Agent (2)： 上代 哲司 ,  神野 直美
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006080213
Publication number (International publication number)：2007254810
Application date： Mar. 23, 2006
Publication date： Oct. 04, 2007
Summary：
【課題】バンドギャップ、絶縁性等の電気的特性に優れると共に、可視光の高い透過率など光学的特性にも優れた化合物を、フレキシブル有機材料製基板やガラス製基板等が耐えられる250°C未満の温度で成膜する。【解決手段】プラズマを利用して窒素原子を主に励起し、励起した窒素原子を硼素原子、炭素原子および酸素原子と反応させて、成膜室内の250°C未満の基板上に硼素炭素窒素酸素化合物を成膜させることを特徴とする硼素炭素窒素酸素化合物の成膜方法。前記硼素炭素窒素酸素化合物は、酸素が20at%以上含まれていることを特徴とする硼素炭素窒素酸素化合物の成膜方法。前記基板は、紙製基板、合成樹脂製基板、フレキシブル有機材料製基板またはガラス製基板であることを特徴とする硼素炭素窒素酸素化合物の成膜方法。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
プラズマを利用して窒素原子を主に励起し、励起した窒素原子を硼素原子、炭素原子および酸素原子と反応させて、成膜室内の250°C未満の基板上に硼素炭素窒素酸素化合物を成膜させることを特徴とする硼素炭素窒素酸素化合物の成膜方法。
IPC (4)：
C23C 16/30 ,  C01B 35/14 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316
FI (4)：
C23C16/30 ,  C01B35/14 ,  H01L21/31 C ,  H01L21/316 X
F-Term (27)：
4K030AA03 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA36 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030BA49 ,  4K030CA06 ,  4K030CA07 ,  4K030FA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030LA18 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AC03 ,  5F045AC08 ,  5F045AC15 ,  5F045DP03 ,  5F045DP04 ,  5F045EE11 ,  5F045EH11 ,  5F058BC20 ,  5F058BF07 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM