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J-GLOBAL ID：200903027243880328

密着型エリアセンサ及び密着型エリアセンサを備えた表示装置

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平

, 
小山 潤

About 小山 潤


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001019635
Publication number (International publication number)：2001292276
Application date： Jan. 29, 2001
Publication date： Oct. 19, 2001
Summary：
【要約】【課題】 軽量、薄型、小型である密着型エリアセンサを提供する。【解決手段】 エリアセンサが有する画素は、光源としてのEL素子と、光電変換素子としてのフォトダイオードとをそれぞれ有しており、EL素子とフォトダイオードの動作をTFTで制御していることを特徴とする密着型エリアセンサ。
Claim (excerpt)：
センサ基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられた密着型エリアセンサであって、前記複数の画素は、フォトダイオードと、EL素子と、複数の薄膜トランジスタとを有していることを特徴とする密着型エリアセンサ。
IPC (10)：
H04N 1/028 ,  G09F 9/00 366 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  G09G 3/20 624 ,  G09G 3/20 641 ,  G09G 3/20 680 ,  G09G 3/20 691 ,  G09G 3/20 ,  G09G 3/30
FI (11)：
H04N 1/028 Z ,  G09F 9/00 366 A ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  G09G 3/20 624 B ,  G09G 3/20 641 E ,  G09G 3/20 680 H ,  G09G 3/20 691 B ,  G09G 3/20 691 D ,  G09G 3/20 691 E ,  G09G 3/30 J
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (8)
  • 特開昭62-186320
  • 半導体装置およびその動作方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-297492   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所, ティーディーケイ株式会社
  • 表示装置兼用型イメージセンサ装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-236352   Applicant：セイコーエプソン株式会社
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