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J-GLOBAL ID：200903027276604628

高誘電率膜の電気的特性を改善するための方法

Inventor： ヤンジュン マー ,  ヨシ オノ
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001081511
Publication number (International publication number)：2001313292
Application date： Mar. 21, 2001
Publication date： Nov. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】 誘電体の電気的特性を改善した高誘電率膜を形成すること。【解決手段】 半導体デバイスのための誘電体層を形成する方法であって、a)半導体基板を提供する工程と、b)基板上に初期誘電体層を形成する工程と、c)チャンバ内に基板を配置する工程と、d)チャンバ内にプラズマ放電を生成することによって、初期誘電体層にイオンを注入する工程であって、プラズマ放電が注入される材料を含むことで、材料が誘電体層に注入される、工程と、e)基板をアニーリングし、注入後の誘電体層を適切に調整する工程とを包含する方法。

Claim (excerpt)：

半導体デバイスのための誘電体層を形成する方法であって、a)半導体基板を提供する工程と、b)該基板上に初期誘電体層を形成する工程と、c)チャンバ内に該基板を配置する工程と、d)該チャンバ内にプラズマ放電を生成することによって、該初期誘電体層にイオンを注入する工程であって、該プラズマ放電が注入される材料を含むことで、該材料が該誘電体層に注入される、工程と、e)該基板をアニーリングし、注入後の該誘電体層を適切に調整する工程とを包含する方法。

IPC (12)：

H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (9)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 27/10 444 A ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 29/78 617 V

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体素子のキャパシタ形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-176567   Applicant：現代電子産業株式会社
• 酸化物の処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-241170   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平4-199828
  
• 特開平1-128530