位相シフトマスク及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：横川邦明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995120623
Publication number (International publication number)：1996292550
Application date： Apr. 21, 1995
Publication date： Nov. 05, 1996
Summary：

【要約】【目的】ハーフトーン型位相シフトマスクの有効領域の周囲部分を、従来のような複雑な遮光帯を用いることなく簡単な方法によって、確実に遮光できるようにする。【構成】透明基板1の上に所望パターンの半透明位相シフト膜2a及びそれとほぼ等しいパターンの遮光膜11bをエッチング処理等によって形成する。基板1は、希望のパターン像が形成される面積(a×b)の有効領域8と、それを取り囲む外周部分9とによって構成される。遮光膜11bは、外周部分9の位相シフト膜2a及び有効領域8内の位相シフト膜2aの両方の上に積層される。但し、位相シフト膜2aのエッジは遮光膜11bのエッジよりも寸法Zだけ横方向に突出する。この突出部分の働きによりそれを挟む遮光部と透光部との間で露光光の位相を反転し、両部を明確に区分けする。

Claim (excerpt)：

透明基板の上に半透明位相シフト膜及び遮光膜を順次、積層して成る位相シフトマスクにおいて、有効領域内の所定パターンの形状及び有効領域の外側の外周部に半透明位相シフト膜を有し、上記半透明位相シフト膜のエッジが上記遮光膜のエッジよりも所定範囲の寸法だけ突き出るように、半透明位相シフト膜の上に遮光膜を設けたことを特徴とする位相シフトマスク。

IPC (2)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (3)：

G03F 1/08 A , H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 528

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

マスクおよびパタン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-149835 Applicant：日本電信電話株式会社
ハーフトーン型位相シフトマスク
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-068550 Applicant：ホーヤ株式会社
位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-057371 Applicant：ホーヤ株式会社

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