Pat
J-GLOBAL ID：200903027344461016
パターン形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000294981
Publication number (International publication number)：2002110510
Application date： Sep. 27, 2000
Publication date： Apr. 12, 2002
Summary：
【要約】【課題】 多層レジストプロセス法によるマスクパターン、特に反転パターンを形成するリソグラフィー工程において、高精度に寸法制御および処理能力の向上を実現することを可能とするパターン形成方法を提供すること。【解決手段】 被加工基板1上に、第1の膜として、レジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜をパターニングしてレジストパターン4を形成する工程、前記レジストパターン4上に、塗布法により、シリコン又は金属を含む第2の膜5を形成する工程、および前記第2の膜5を前記レジストパターン4の上面が露出するまでエッチングすることにより、前記レジストパターン4の凹部にのみ前記第2の膜5を残し、第2の膜パターン6を形成する工程を具備するパターン形成方法において、前記第2の膜5をエッチングする工程をウエットエッチングにより行い、かつ前記第2の膜5の形成工程からエッチング工程までを、塗布膜形成手段とウエットエッチング手段とを備える装置により、連続的に行うことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
被加工基板上に、第1の膜として、レジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜をパターニングしてレジストパターンを形成する工程、前記レジストパターン上に、塗布法により、シリコン又は金属を含む第2の膜を形成する工程、および前記第2の膜を前記レジストパターンの上面が露出するまでエッチングすることにより、前記レジストパターンの凹部にのみ前記第2の膜を残し、第2の膜パターンを形成する工程を具備するパターン形成方法において、前記第2の膜をエッチングする工程をウエットエッチングにより行い、かつ前記第2の膜の形成工程からエッチング工程までを、塗布膜形成手段とウエットエッチング手段とを備える装置により、連続的に行うことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/027
, H01L 21/306
H01L 21/30 573
, H01L 21/306 Z
5F043AA40
, 5F043BB30
, 5F043CC07
, 5F043GG10
, 5F046NA01
, 5F046NA16
, 5F046NA17
, 5F046NA18
