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J-GLOBAL ID:200903007356265793
ケイ素含有ポリマ並びにこれを用いたレジスト組成物及びレジストパターン形成方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
石田 敬 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998220605
Publication number (International publication number):1999130860
Application date: Aug. 04, 1998
Publication date: May. 18, 1999
Summary:
【要約】【課題】 アルカリ性現像液で現像でき、真空紫外領域の放射線での露光により微細パターンを形成可能な新しいケイ素含有ポリマと、これを含むレジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 本発明のケイ素含有ポリマは下記一般式で表される。【化1】(上式中、Rはケイ素含有ポリマの骨格部分を表し、R1 は一価の有機基であって、R1 のうちの少なくとも一部のものはアルカリ可溶性を示す官能基か、あるいは露光により酸発生剤から生じた酸の作用によりアルカリ可溶性を示す官能基を含む一価の有機基であり、R1 に含まれる当該官能基は1種又は複数種でよく、n及びmは1以上の整数である)
Claim (excerpt):
下記一般式で表されるケイ素含有ポリマ。【化1】(上式中、Rはケイ素含有ポリマの骨格部分を表し、R1 は一価の有機基であって、R1 のうちの少なくとも一部のものはアルカリ可溶性を示す官能基か、あるいは露光により酸発生剤から生じた酸の作用によりアルカリ可溶性を示す官能基を含む一価の有機基であり、R1 に含まれる当該官能基は1種又は複数種でよく、n及びmは1以上の整数である)
IPC (5):
C08G 77/04
, C08G 77/48
, C08L 83/04
, H01L 21/027
, G03F 7/075 511
FI (6):
C08G 77/04
, C08G 77/48
, C08L 83/04
, G03F 7/075 511
, H01L 21/30 502 R
, H01L 21/30 569
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (51)
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特開平4-107562
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特開平4-107562
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有機ケイ素重合体およびレジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-284841
Applicant:富士通株式会社
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特開平4-104252
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特開平1-292036
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特開平2-281042
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オルガノポリシロキサン及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-147110
Applicant:信越化学工業株式会社
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アルカリ可溶性シロキサン重合体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-062750
Applicant:富士通株式会社
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特開平2-225524
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重合体、レジスト樹脂組成物、及びそれらを用いたパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-219541
Applicant:昭和電工株式会社
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特開平4-025530
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特開平4-107562
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特開平2-281042
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特開平4-025530
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特開平4-104252
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特開平1-292036
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特開平2-225524
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水発泡ポリウレタンフォームの性能を改善するための反応性触媒組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-122034
Applicant:エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
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高分子シリコーン化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-227633
Applicant:信越化学工業株式会社
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特開平1-123229
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特開平1-123229
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ケイ素系重合体及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-208519
Applicant:積水化学工業株式会社
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ポリシロキサン、ポリシロキサン組成物、絶縁膜の製造方法、着色部材の製造方法及び導電膜の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-196312
Applicant:株式会社東芝
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有機硅素重合体と半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-331002
Applicant:富士通株式会社
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特開平4-130324
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特開平4-130324
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フェノールにより改質されたシリコーン
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-110846
Applicant:ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
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特開平2-153935
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特開平2-153935
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特開平4-107561
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特開平4-107561
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特開平4-104252
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特開昭62-269138
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特開平1-292036
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特開昭61-025140
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特開昭60-059347
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特開平2-225524
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特開昭61-020032
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特開昭63-101426
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珪素組成物、これを用いたパターン形成方法、および電子部品の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-063277
Applicant:株式会社東芝
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特開昭62-269138
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特開昭61-025140
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特開昭60-059347
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特開昭61-020032
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特開昭63-101426
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特開平4-107562
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特開平2-281042
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特開平4-025530
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特開平4-104252
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特開平1-292036
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特開平2-225524
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Article cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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シリコーンハンドブック, 19900831, 初版, P166-P167
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シリコーンハンドブック, 19900831, 初版, P166-P167
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シリコーンハンドブック, 19900831, 初版, P166-P167
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