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J-GLOBAL ID：200903027349774071

素子分離エッチング方法

Inventor：
吉田 和由

About 吉田 和由


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998331309
Publication number (International publication number)：2000156404
Application date： Nov. 20, 1998
Publication date： Jun. 06, 2000
Summary：
【要約】【課題】 特に分離幅の広い領域でのテーパー角の増加が顕著となり、結果としてテーパー角の分離幅依存性が低減された素子分離エッチング方法を提供することにある。【解決手段】 単結晶シリコン基板3上に酸化膜9を20nmの膜厚に、シリコン窒化膜10を200nmの膜厚にそれぞれ順次積層形成する。引き続いて、酸化膜9及びシリコン窒化膜10に対して、フォトリソグラフィ処理及びドライエッチング処理を行い、酸化膜9及びシリコン窒化膜10を所望形状にパターニングして、底部に単結晶シリコン基板3が露出したシリコントレンチ形成部11を形成する。パターニングされた酸化膜9及びシリコン窒化膜10をマスクとして、シリコントレンチ形成部11内の単結晶シリコン基板3に対してシリコントレンチエッチングを行い、単結晶シリコン基板3にシリコントレンチ12を形成する。シリコントレンチエッチングを行う際に、HBrガスとO2ガスとの混合ガスにSiF4,SiCl4又はSiBr4等を添加する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上の素子相互間にトレンチをエッチングにより形成し、素子相互間を分離する素子分離エッチング方法であって、半導体基板として単結晶シリコン基板を用い、HBrとO2との混合ガスを基本系ガスとし、これらに酸化物除去能力をもつハロゲン化物ガスを添加し、これをエッチングガスとして、半導体基板上の素子相互間にトレンチをエッチングにより形成することを特徴とする素子分離エッチング方法。
IPC (3)：
H01L 21/76 ,  H01L 21/3065 ,  C23F 4/00
FI (3)：
H01L 21/76 N ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/302 J
F-Term (25)：
4K057DA12 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DD08 ,  4K057DE06 ,  4K057DE11 ,  4K057DG12 ,  4K057DM16 ,  4K057DM28 ,  4K057DN01 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA13 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F004EA13 ,  5F004EB04 ,  5F032AA39 ,  5F032DA23 ,  5F032DA25
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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