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J-GLOBAL ID:200903027396083850

微細加工装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小池 晃 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000183615
Publication number (International publication number):2001062574
Application date: Jun. 19, 2000
Publication date: Mar. 13, 2001
Summary:
【要約】【課題】 集積回路の作成時に用いるフォトマスクやサファイア基板についてナノメートルオーダーの微細加工を正確に行う。【解決手段】 本発明に係る微細加工装置は、フェムト秒オーダーのパルス幅を持つパルス光を出射する光源と、先鋭化された光出射開口を有するプローブを有し、被加工物上と光出射開口との距離がパルス光の波長より短い距離となるようにプローブを配設して、光源からのパルス光をプローブ内で集光し光出射開口を介して被加工物に照射して被加工物を加工する加工手段とを備え、被照射物にフェムト秒オーダーのパルス幅を持つパルス光を波長よりも十分に小さいスポット径で照射して時間的及び空間的な光集中により多光子励起状態を利用した微細加工を行う。
Claim (excerpt):
フェムト秒オーダーのパルス幅を持つパルス光を出射する光源と、先鋭化された光出射開口を有するプローブを有し、被加工物上と上記光出射開口との距離が上記パルス光の波長より短い距離となるようにプローブを配設して、上記光源からのパルス光を上記プローブ内で集光し上記光出射開口を介して被加工物に照射して被加工物を加工する加工手段とを備えることを特徴とする微細加工装置。
IPC (4):
B23K 26/00 ,  B82B 3/00 ,  G03F 7/20 505 ,  B23K101:40
FI (3):
B23K 26/00 G ,  B82B 3/00 ,  G03F 7/20 505
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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