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J-GLOBAL ID：200903027406035680

光半導体装置及びその製造方法

Inventor：
山本 剛之

About 山本 剛之

, 
須藤 久男

About 須藤 久男


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (2)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006263074
Publication number (International publication number)：2008085064
Application date： Sep. 27, 2006
Publication date： Apr. 10, 2008
Summary：
【課題】 p型活性層にダメージを与えることなく、素子容量の増大も抑制することができる光半導体素子を提供する。【解決手段】 基板上に、p型半導体からなるp型クラッド層(3)が形成されている。p型クラッド層の上に、p型半導体領域を含む活性層(5)が形成されている。活性層の上に、ノンドープの半導体からなる緩衝層(10)が配置されている。緩衝層の表面の一部の領域上に、n型半導体からなるリッジ状のn型クラッド層(11)が配置されている。n型クラッド層の両側の領域の緩衝層は、n型クラッド層直下の領域の緩衝層よりも薄い。【選択図】 図1-3
Claim (excerpt)：
基板上に形成されたp型半導体からなるp型クラッド層と、 前記p型クラッド層の上に配置され、p型半導体領域を含む活性層と、 前記活性層の上に配置され、ノンドープの半導体からなる緩衝層と、 前記緩衝層の表面の一部の領域上に配置されたn型半導体からなるリッジ状のn型クラッド層と を有し、前記n型クラッド層の両側の領域の前記緩衝層は、該n型クラッド層直下の領域の該緩衝層よりも薄い光半導体素子。
IPC (2)：
H01S 5/22 ,  H01S 5/50
FI (3)：
H01S5/22 ,  H01S5/50 610 ,  H01S5/50 630
F-Term (11)：
5F173AA08 ,  5F173AF09 ,  5F173AG20 ,  5F173AH02 ,  5F173AP09 ,  5F173AP32 ,  5F173AP43 ,  5F173AR65 ,  5F173AR82 ,  5F173AS01 ,  5F173AS10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 半導体レーザダイオード
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-303071   Applicant：三菱電機株式会社
  • 面発光レーザ装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-014689   Applicant：富士通株式会社
  • 半導体レーザ素子及びその作製方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-293415   Applicant：古河電気工業株式会社
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)
  • Temperature independent transmission for 10 Gbps 300m-MMF using lowdriving-current quantum dot laser

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