反射型画像表示装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：永井利和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996216147
Publication number (International publication number)：1998048626
Application date： Jul. 29, 1996
Publication date： Feb. 20, 1998
Summary：

【要約】【課題】画素毎に液晶層の光透過率を制御して変調反射光を得る反射型画像表示装置において、反射電極層の表面反射率を高くして表示画像の明度を向上させる。【解決手段】反射電極層32の層厚をSi基板4側に形成される第1接続部31やスイッチング素子5に対する配線要素の厚み(通常約1μm)より薄く構成して0.1〜0.6μmとする。アルミニウムを主成分とした材料により反射電極層32をスパッタリングで形成する場合、その層厚が厚くなるほどグレインの成長によって表面反射率が低下するが、前記のように薄く構成することで表面反射率を高く設定できる。また、第1接続部31を上側に隆起形成させて第2接続部34を短くし、反射電極層32と第2接続部34を同時に形成しながら第2接続部34による接続信頼性を高める。

Claim (excerpt)：

基板面に、スイッチング素子、電荷蓄積容量部、前記スイッチング素子の出力端子と前記電荷蓄積容量部を構成する電極を接続する第1接続部、それらを覆う絶縁体層、その絶縁体層の表面に形成された反射電極層、及び前記絶縁体層を貫通して前記反射電極層と前記第1接続部を接続する第2接続部からなる一画素分の能動素子回路を多数個マトリクス状に配設すると共に、前記の各スイッチング素子の入力端子と制御端子に対してそれぞれ接続される信号線と走査線を形成した能動素子基板と、片面に透明な共通電極膜が形成されている透明基板と、前記能動素子基板の反射電極層側と前記透明基板の共通電極膜側の間に挾装された光変調層とで構成され、前記スイッチング素子をオン/オフ制御しながら入力端子への入力信号に対応させて前記反射電極層と前記共通電極膜の間に電位差を生じさせ、透明基板への入射光を光変調層で変調して反射させる反射型画像表示装置において、前記反射電極層の厚みを前記の第1接続部及び前記スイッチング素子に対する他の配線要素の何れの厚みよりも薄く形成したことを特徴とする反射型画像表示装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

光弁用半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-088127 Applicant：セイコー電子工業株式会社
反射型液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-273913 Applicant：シャープ株式会社
特開平2-222928

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