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J-GLOBAL ID：200903027489309298

半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： 副島 玲子 ,  倉又 朗人
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998079810
Publication number (International publication number)：1999274556
Application date： Mar. 26, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体発光素子及びその製造方法に関し、半導体技術に於いて普遍的に実用化されている技法を利用して、p側電極コンタクト層に於ける抵抗値を上昇させることなく、電極コンタクト抵抗を低下させて更に素子抵抗を低下させようとする。【解決手段】 p-Al<SB>x </SB>In<SB>y </SB>Ga<SB>1-x-y </SB>N(0≦x<1,0≦y<1)を材料とし且つ基板1側から表面側に向かってp型不純物濃度であるMg濃度が連続的乃至階段状に高められてなるp側電極コンタクト層10を備える。

Claim (excerpt)：

p-Al<SB>x </SB>In<SB>y </SB>Ga<SB>1-x-y </SB>N(0≦x<1,0≦y<1)を材料とし且つ基板側から表面側に向かってp型不純物濃度であるMg濃度が連続的乃至階段状に高められてなるp側電極コンタクト層を備えてなることを特徴とする半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-317844   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 3族窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-252896   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-137714   Applicant：豊田合成株式会社