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J-GLOBAL ID：200903040792896410

窒化物半導体発光素子

Inventor： 向井 孝志
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995317844
Publication number (International publication number)：1996330629
Application date： Dec. 06, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 ダブルへテロ構造の窒化物半導体発光素子のVfをさらに低下させることにより発光効率に優れた素子を提供する。【構成】 n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に発光する活性層を有し、p型窒化物半導体層表面に正電極が形成されてなる窒化物半導体発光素子において、前記p型窒化物半導体層は正電極と接する側から順にアクセプター不純物濃度の高い第一のp型窒化物半導体層と、第一のp型窒化物半導体層よりもアクセプター不純物濃度の低い第二のp型窒化物半導体層とを含むことを特徴とする

Claim (excerpt)：

n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に発光する活性層を有し、p型窒化物半導体層表面に正電極が形成されてなる窒化物半導体発光素子において、前記p型窒化物半導体層は正電極と接する側から順にアクセプター不純物濃度の高い第一のp型窒化物半導体層と、第一のp型窒化物半導体層よりもアクセプター不純物濃度の低い第二のp型窒化物半導体層とを含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-157219   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-079046   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその電極形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-124890   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-203084   Applicant：日本電信電話株式会社
• p型窒化ガリウムの成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-042125   Applicant：日亜化学工業株式会社