臨界電流密度の高い酸化物超電導体

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (4)：酒井正己 , 加々美紀雄 , 小松秀岳 , 小松純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002198284
Publication number (International publication number)：2004035371
Application date： Jul. 08, 2002
Publication date： Feb. 05, 2004
Summary：

【課題】不可逆磁場が高く、高臨界電流密度を比較的高い温度で達成できるRE-Ba-Cu-O系酸化物超電導体を提供すること。【解決手段】RE-Ba-Cu-O系酸化物超電導体(REはLa、Nd、Sm、Eu、Gdのうちの2種以上)であって、RE1+xBa2-xCu3Oy(REはLa、Nd、Sm、Eu、Gdのうちの2種以上:-0.1≦x≦+0.1、6.5≦y≦7.1)の組成からなる母相中に、母相組成と異なるRE1+zBa2-zCu3Ow(0≦z≦0.5、6.5≦w≦7.2)の組成で、かつ、円相当直径が20nm以下である組成ゆらぎ領域を分散した微細構造を形成する。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

RE-Ba-Cu-O系酸化物超電導体(REはLa、Nd、Sm、Eu、Gdのうちの2種以上)であって、RE1+xBa2-xCu3Oy(-0.1≦x≦+0.1、6.5≦y≦7.1)の組成からなる母相中に、RE1+zBa2-zCu3Ow(0≦z≦0.5、6.5≦w≦7.2)の組成で、かつ、円相当直径が20nm以下である組成ゆらぎ領域が分散してなる組織を有することを特徴とするRE-Ba-Cu-O系酸化物超電導体。

IPC (3)：

C01G3/00 , C01G1/00 , H01B13/00

FI (3)：

C01G3/00 , C01G1/00 S , H01B13/00 565D

F-Term (9)：

5G321AA02 , 5G321BA01 , 5G321BA03 , 5G321CA04 , 5G321CA13 , 5G321DB02 , 5G321DB28 , 5G321DB30 , 5G321DB46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

希土類系酸化物超電導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-158935 Applicant：財団法人国際超電導産業技術研究センター, 東京瓦斯株式会社, 石川島播磨重工業株式会社
特許第2828396号
臨界電流密度の高い酸化物超電導体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-186629 Applicant：財団法人国際超電導産業技術研究センター, 岩手県