Pat
J-GLOBAL ID：200903027613391305

プラズマ処理方法、プラズマ処理装置およびプラズマモニタリング装置

Inventor：
戸野谷 純一

About 戸野谷 純一

, 
福水 裕之

About 福水 裕之


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999246175
Publication number (International publication number)：2000340550
Application date： Aug. 31, 1999
Publication date： Dec. 08, 2000
Summary：
【要約】【課題】 プラズマ処理装置のチャンバ内部の処理状態の変動を処理中の膜堆積の影響を殆ど受けずに高感度でモニタリングしながらプラズマ処理することが可能なプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 プラズマ処理容器中でプラズマを発生させて所定の処理を行うプラズマ処理方法であって、前記プラズマへ高周波電力を周波数を変えながら導入してプラズマからの反射波電力を求め、反射波電力の極小値に対応する高周波電力の周波数を検出し、プラズマ処理中の前記周波数の変化に基づいてプラズマの状態をモニタリングすることを特徴とするプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置。
Claim (excerpt)：
プラズマ処理容器中でプラズマを発生させて所定の処理を行うプラズマ処理方法であって、前記プラズマへ高周波電力を周波数を変えながら導入してプラズマからの反射波電力を求め、反射波電力の極小値に対応する高周波電力の周波数を検出し、プラズマ処理中の前記周波数の変化に基づいてプラズマの状態をモニタリングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (3)：
H01L 21/3065 ,  H05H 1/00 ,  H05H 1/46
FI (4)：
H01L 21/302 E ,  H05H 1/00 A ,  H05H 1/46 L ,  H01L 21/302 B
F-Term (10)：
5F004BA04 ,  5F004BA14 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004CB06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM