ドライエッチング方法、磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：松山圭佑 , 高矢諭 , 牧野剛博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004190061
Publication number (International publication number)：2006012332
Application date： Jun. 28, 2004
Publication date： Jan. 12, 2006
Summary：

【課題】被エッチング層を所望の凹凸パターンの形状に高精度で加工できるドライエッチング方法、これを利用した磁気記録媒体の製造方法及び記録層が凹凸パターンで形成され、良好な磁気特性が確実に得られる磁気記録媒体を提供する。【解決手段】基板の上に記録層(被エッチング層)、主マスク層、副マスク層をこの順で形成して副マスク層を所定の凹凸パターンに加工し(S106)、次に酸素又はオゾンを反応ガスとする反応性イオンエッチングにより、凹部の主マスク層を除去し(S108)、更にドライエッチングにより凹部の記録層を除去して前記凹凸パターンの形状に加工する(S110)。主マスク層の材料は主成分が炭素であり、且つ、副マスク層の材料は、主マスク層加工工程(S108)の反応性イオンエッチングに対するエッチングレートが炭素よりも低い材料を用いる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

被エッチング層の上に、主マスク層、副マスク層をこの順で形成するマスク層形成工程と、前記副マスク層を所定の凹凸パターンに加工する副マスク層加工工程と、酸素及びオゾンの少なくとも一方を反応ガスとする反応性イオンエッチングにより前記凹凸パターンの凹部の前記主マスク層を除去する主マスク層加工工程と、ドライエッチングにより前記凹凸パターンの凹部の前記被エッチング層を除去して該被エッチング層を前記凹凸パターンの形状に加工する被エッチング層加工工程と、を含み、前記主マスク層の材料は主成分が炭素であり、前記副マスク層の材料は前記主マスク層加工工程の反応性イオンエッチングに対するエッチングレートが前記主マスク層の材料よりも低い材料であることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (5)：

G11B 5/84 , C23F 4/00 , G11B 5/72 , G11B 5/738 , G11B 5/82

FI (5)：

G11B5/84 Z , C23F4/00 A , G11B5/72 , G11B5/738 , G11B5/82

F-Term (25)：

4K057DA11 , 4K057DA12 , 4K057DB01 , 4K057DB15 , 4K057DB20 , 4K057DC10 , 4K057DD03 , 4K057DD04 , 4K057DE14 , 4K057DE20 , 4K057DN01 , 5D006AA02 , 5D006CA01 , 5D006DA03 , 5D006DA04 , 5D006EA00 , 5D006EA03 , 5D006FA00 , 5D112AA03 , 5D112AA05 , 5D112AA07 , 5D112AA24 , 5D112BC05 , 5D112BD02 , 5D112GA20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

磁気ディスク、磁気ディスクの製造方法、及び磁気記録装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-191846 Applicant：株式会社東芝
磁性材料のエッチング方法及びプラズマエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-130329 Applicant：科学技術振興事業団, アネルバ株式会社, 科学技術庁金属材料技術研究所長

Cited by examiner (6)

特開昭62-293721
特開平2-143413
特開昭60-047422

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