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J-GLOBAL ID：200903027682545179

ダイヤモンド孤立粒子を用いたpn接合素子

Inventor： 霜垣 幸浩 ,  山下 敏 ,  石倉 威文
Applicant, Patent owner： 東京瓦斯株式会社
Agent (1)： 沼形 義彰 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996232190
Publication number (International publication number)：1998079521
Application date： Sep. 02, 1996
Publication date： Mar. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ダイヤモンド孤立粒子を用いたp-n接合素子を提供する。【解決手段】 n型シリコン基板10の表面を核形成処理し、この上にSiO2からなる絶縁層20で隔離されたp型ダイヤモンド孤立粒子30を形成し、ダイヤモンド30に接して電極40を、シリコン基板に接して電極50を設けたp-n接合半導体素子。

Claim (excerpt)：

n型半導体基板上に選択的に成長させたp型半導体の単結晶孤立粒子からなるp-n接合素子。

IPC (4)：

H01L 29/861 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808 ,  H01L 21/329

FI (3)：

H01L 29/91 H ,  H01L 29/80 C ,  H01L 29/91 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• ダイヤモンド結晶の選択成長法及び選択エピタキシャル成長法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-214011   Applicant：キヤノン株式会社
• 多結晶ダイヤモンド半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-017521   Applicant：出光石油化学株式会社