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J-GLOBAL ID:200903027739000786

接合基板、弾性表面波素子および弾性表面波デバイス

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 片山 修平
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004058888
Publication number (International publication number):2005252550
Application date: Mar. 03, 2004
Publication date: Sep. 15, 2005
Summary:
【課題】 タンタル酸リチウム基板とサファイア基板とを高温熱処理を施すことなく接合させて接合強度が高くかつ反りの少ない接合基板を実現すること、および温度安定性に優れたSAW素子を提供すること。【解決手段】 タンタル酸リチウム基板およびサファイア基板の少なくとも一方の接合表面を、不活性ガスまたは酸素ガスの中性化ビーム、イオンビーム、若しくはプラズマにより活性化させてアモルファス化する、若しくはこれらの基板の少なくとも一方の接合表面上に、所望の組成のアモルファス層を真空成膜して形成する。このようにして得られたタンタル酸リチウム基板とサファイア基板とを接合し、その界面に0.3nm以上2.5nm以下の厚みのアモルファスの接合領域を設けると、接合強度の高い基板が得られる。また、接合領域の厚みを1.5nm以上とすると、150°Cで1時間保持した後の反り量を概ね200μm以下とすることができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
タンタル酸リチウム基板とサファイア基板との接合界面に、0.3nm以上2.5nm以下の厚みのアモルファスの接合領域を備えていることを特徴とする接合基板。
IPC (4):
H03H9/25 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22
FI (4):
H03H9/25 C ,  H01L41/08 L ,  H01L41/18 101A ,  H01L41/22 Z
F-Term (10):
5J097AA21 ,  5J097AA24 ,  5J097BB01 ,  5J097BB17 ,  5J097FF01 ,  5J097FF04 ,  5J097GG03 ,  5J097GG05 ,  5J097JJ02 ,  5J097KK10
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)
  • 弾性表面波素子の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2003-136511   Applicant:富士通メディアデバイス株式会社, 富士通株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
Article cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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