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J-GLOBAL ID：200903027899076835

金属フィルムを完全に平面化するための同期モデュレ-ションバイアススパッタ方式及び装置

Inventor：
チャン スー

About チャン スー


Applicant, Patent owner：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

About アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド


Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995114605
Publication number (International publication number)：1996070004
Application date： May. 12, 1995
Publication date： Mar. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 ウエハの加熱を抑制し生産歩留まりを高める。【構成】 基板上に平面化された金属フィルムを作るための方法であり、基板上に金属の薄い膜を堆積する工程と、その薄い膜が堆積された後、その堆積された薄い金属フィルム内に空所を生じさせ、その堆積された薄いフィルムの金属原子の可動性を高める工程と、その堆積された薄い金属フィルム内に空所を生じさせた後であって更に多くの金属を堆積させる前に、その薄い金属フィルム内の金属を再流動させるためにその堆積された薄いフィルムの表面を加熱する工程と、所定の厚さを有する金属層が形成されるまで上記一連の工程を繰り返す工程とを含む。
Claim (excerpt)：
基板上に平面化された金属フィルムを作るための方法であって、前記基板上に金属の薄いフィルムを堆積する工程と、前記堆積された薄いフィルムの金属原子の可動性を増すために前記堆積された薄い金属フィルム内に空所を発生させる工程と、前記薄い金属フィルム内に前記金属の再流動を生じさせるために前記堆積された薄いフィルムの表面を加熱する工程と、所定の厚さを有する金属層が形成されるまで上記一連の工程を多数回繰り返す工程とを含む方法。
IPC (4)：
H01L 21/3205 ,  C23C 14/58 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
  • 特開昭63-141348
  • 特開平2-138456
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-068276   Applicant：株式会社東芝
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