半導体膜の結晶化方法、アクティブマトリクス基板及び液晶表示装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996004360
Publication number (International publication number)：1997199729
Application date： Jan. 12, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】結晶化度合いの低い半導体膜にレーザアニールを行うことによって、結晶化度合いの高い半導体膜を得ることができる半導体膜の結晶化方法およびアクティブマトリクス基板の製造方法を提供すること。【解決手段】アモルファスのシリコン膜30(半導体膜)に対して、初めからいきなり高いエネルギー密度のレーザ光を照射するのではなく、低いエネルギー密度のレーザ光の照射を行う。

Claim (excerpt)：

基板上の半導体膜に対して照射されるレーザ光のエネルギー密度を低い状態、高い状態、および低い状態に変化させてレーザアニールを行うことにより、前記半導体膜を溶融結晶化させることを特徴とする半導体膜の結晶化方法。

IPC (5)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500 , H01L 21/268 , H01L 27/12

FI (4)：

H01L 29/78 627 G , G02F 1/136 500 , H01L 21/268 Z , H01L 27/12 R

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

光アニール方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-120363 Applicant：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
特開昭64-076715
特開昭64-045162

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Cited by examiner (4)

光アニール方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-120363 Applicant：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
特開昭64-076715
特開昭64-045162

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