化学機械的研磨装置及び研磨ヘッド内部の汚染物質洗浄方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：服部雅紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000180180
Publication number (International publication number)：2001015466
Application date： Jun. 15, 2000
Publication date： Jan. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】ウェーハ表面にスクラッチを発生させる汚染物質を効果的に除去する化学機械的研磨装置と汚染物質洗浄方法を提供する。【解決手段】化学機械的研磨装置のロードカップ230内には第1ノズル235、第2ノズル236及び第3ノズル237を備えている。各ノズルからは脱イオン水が噴射される。第1ノズル235はペデスタル231に残留した汚染物質を洗浄し、第2ノズル236は研磨ヘッドの底面に装着されたメンブレンに残留した汚染物質を洗浄し、第3ノズル237はメンブレンの外周面と研磨ヘッドの下部縁部に設けられたリテーナリングの内周面との間に形成された空間に流入された汚染物質を洗浄する。これにより、従来の洗浄手段によっては除去し難い、研磨ヘッド内部に流入されて固着されたスラリーカス、研磨されたシリコン粒子などの汚染物質も効果的に洗浄でき、また、装置内に散在する汚染物質も効果的に排出できる。

Claim (excerpt)：

半導体ウェーハの表面を平坦化するための化学機械的研磨装置において、ベースと、前記ベースに位置する研磨パッドと、前記ベース上部に位置し、前記ウェーハをホルディングし前記研磨パッドに対して加圧するもので、底面にメンブレンを具備する真空チャックと、前記メンブレンの周辺に延びて、前記メンブレンと所定のギャップを介して設けられ、放射状で貫通して形成されて前記ギャップと連結される複数個のパージホールを有する環状リテーナリングを含む研磨ヘッドと、前記ベース上に支持され、前記研磨ヘッドを収容するだけの大きさの洗浄槽、前記洗浄槽下部に位置するペデスタル、前記ペデスタルの上部面に脱イオン水を噴射できるように配置された第1ノズル、前記洗浄槽の上部穴の中心部に向かって上方向に脱イオン水を噴射できるように配置された第2ノズル、およびロードカップの側面に前記洗浄槽の内側方向に放射状で脱イオン水を噴射できるように配置された第3ノズルを含むロードカップとを具備し、前記研磨ヘッドが下降して前記ロードカップの洗浄槽内に位置する時、前記第2ノズルから噴射された脱イオン水が前記研磨ヘッドの底面を洗浄し、前記第3ノズルから前記リテーナリングのパージホールを貫通して脱イオン水が噴射されて前記ギャップ内に流入された汚染物質を除去することを特徴とする化学機械的研磨装置。

IPC (2)：

H01L 21/304 622 , B24B 37/04

FI (2)：

H01L 21/304 622 Q , B24B 37/04 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

ウェーハ研磨装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-001731 Applicant：三菱マテリアル株式会社
ポリッシング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-105254 Applicant：株式会社荏原製作所
ケミカルメカニカルポリシングの連続処理システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-322075 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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