半導体レーザダイオード及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996043863
Publication number (International publication number)：1997237934
Application date： Feb. 29, 1996
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：

【要約】【課題】極めて簡単な工程で、高性能の半導体レーザダイオードを製造する。【解決手段】単結晶サファイア基板上に、レーザ素子を成す半導体の多重層を形成した後、上記単結晶サファイア基板及び多重層を、サファイアのR面に沿って劈開して多数個に分割する工程から半導体レーザダイオードを製造する。

Claim (excerpt)：

R面に沿った二つの劈開面を有する単結晶サファイア板の主面上に、レーザ素子を成す半導体の多重層を備え、該多重層におけるレーザ光の共振器を成す二つの対向端面が、上記単結晶サファイア板のR面に沿った劈開面に連なることを特徴とする半導体レーザダイオード。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-279546 Applicant：日亜化学工業株式会社
III -V族半導体ウエ-ハ及びその加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-124159 Applicant：住友電気工業株式会社
光デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-314691 Applicant：三菱電機株式会社

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