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J-GLOBAL ID:200903027994598776

低粘度高熱伝導性ポリマー系窒化ホウ素組成物形成用表面処理窒化ホウ素及び該組成物の形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000004010
Publication number (International publication number):2001192500
Application date: Jan. 12, 2000
Publication date: Jul. 17, 2001
Summary:
【要約】【課題】 低粘度高熱伝導性ポリマー系窒化ホウ素組成物及びこの組成物においてフィラーとして使用される表面処理窒化ホウ素材料並びにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】 六方晶窒化ホウ素粒子を1,4-フェニレンジイソシアネートで処理した後、得られた処理粒子をアミノフェノールと反応させる。このように処理された六方晶窒化ホウ素粒子を、ベンゾオキサジン、エポキシ樹脂及びノボラック型又はレゾール型フェノール樹脂からなる群から選択される未反応モノマーと混ぜた後、重合させる。
Claim (excerpt):
六方晶窒化ホウ素粒子含有低粘度高熱伝導性ポリマー複合体の形成方法であって、(a)六方晶窒化ホウ素粒子の表面を1,4-フェニレンジイソシアネートで処理する工程、(b)その後、得られた処理窒化ホウ素粒子を下式H2N-X-Y(式中、Xは炭素数1〜40の直鎖若しくは分岐鎖状脂肪族基又は置換若しくは非置換フェニレン基であって、前記置換基はメチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基又は別のY基若しくは一個以上のF若しくはCF3基であり、Yはヒドロキシル、アミノ、メチレンアミノ、エチレンアミノ、アミド、チオール、エポキシ、ビニル、アセチレニル、シラノール、ニトリル、カルボキシル、メタクリル、アクリル、アリル、無水物、シアネート、ノルボルネニル又はマレイミドであり、-CF3、-CF2CF3及び-CF2CF2CF3からなる群から選択される更なる置換基を有していてもよい)で表される化合物と反応させる工程および、(c)前記表面処理六方晶窒化ホウ素粒子をベンゾオキサジン、エポキシ樹脂及びノボラック型又はレゾール型フェノール樹脂からなる群から選択されるモノマーと混ぜ、得られた処理窒化ホウ素充填モノマーを重合して前記低粘度高熱伝導性ポリマー複合体を形成する工程、を含んでなることを特徴とする方法。
IPC (9):
C08K 9/04 ,  C01B 21/064 ,  C08L 61/06 ,  C08L 61/34 ,  C08L 63/00 ,  C08G 8/00 ,  C08G 14/073 ,  C08G 18/76 ,  C08G 59/40
FI (9):
C08K 9/04 ,  C01B 21/064 M ,  C08L 61/06 ,  C08L 61/34 ,  C08L 63/00 C ,  C08G 8/00 J ,  C08G 14/073 ,  C08G 18/76 Z ,  C08G 59/40
F-Term (44):
4J002CC031 ,  4J002CD001 ,  4J002CE001 ,  4J002DK006 ,  4J002FB086 ,  4J002FD016 ,  4J002GQ01 ,  4J033CA01 ,  4J033CA11 ,  4J033CA44 ,  4J033FA01 ,  4J033FA05 ,  4J034BA02 ,  4J034CA02 ,  4J034CA12 ,  4J034CA13 ,  4J034CA15 ,  4J034CA21 ,  4J034CA23 ,  4J034CB01 ,  4J034CB03 ,  4J034CC03 ,  4J034CC12 ,  4J034CC61 ,  4J034CC65 ,  4J034CD03 ,  4J034CD12 ,  4J034HA01 ,  4J034HA07 ,  4J034HA11 ,  4J034HC12 ,  4J034JA06 ,  4J034MA01 ,  4J034QC03 ,  4J034QC04 ,  4J034RA19 ,  4J036AA01 ,  4J036CB08 ,  4J036CB09 ,  4J036CB21 ,  4J036CC01 ,  4J036CC03 ,  4J036FA04 ,  4J036JA07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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