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J-GLOBAL ID:200903054300499897
高熱伝導性ポリベンゾオキサジン系材料を形成させるための組成物およびその製造法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
佐藤 一雄 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998122382
Publication number (International publication number):1999071498
Application date: May. 01, 1998
Publication date: Mar. 16, 1999
Summary:
【要約】【課題】 高熱伝導性ポリベンゾオキサジン系材料を形成させるための組成物およびその製造法を提供すること。【解決手段】 少なくとも1種のベンゾオキサジン樹脂および窒化ホウ素の粒子を、ポリベンゾオキサジン系材料中で約3W/mK〜37W/mKの熱伝導率を達成するのに十分な量を包含する充填材を含んでなる組成物。
Claim (excerpt):
少なくとも1種のベンゾオキサジン樹脂と窒化ホウ素の粒子を包含する充填材とを含んでなることを特徴とする、高熱伝導性ポリベンゾオキサジン系材料の製造に使用する組成物。
IPC (7):
C08L 61/34
, C08K 3/22
, C08K 3/28
, C08K 3/36
, C08K 3/38
, C08G 14/073
, C08G 59/40
FI (7):
C08L 61/34
, C08K 3/22
, C08K 3/28
, C08K 3/36
, C08K 3/38
, C08G 14/073
, C08G 59/40
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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半導体封止用樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-132434
Applicant:日立化成工業株式会社
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エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-030061
Applicant:東芝ケミカル株式会社
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樹脂封止型半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-074487
Applicant:株式会社東芝
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