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J-GLOBAL ID：200903028013411112

プラズマ処理装置

Inventor：
本郷 俊明

About 本郷 俊明


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 亀谷 美明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997303464
Publication number (International publication number)：1999124677
Application date： Oct. 16, 1997
Publication date： May. 11, 1999
Summary：
【要約】【課題】 誘電体壁の高周波アンテナ側面での沿面放電の発生を防止することが可能な誘導結合プラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 CVD装置100の処理容器102内は,誘電体壁104によって処理室106とアンテナ室108に気密に隔離される。処理室106内には,LCD基板Lを載置する下部電極110が配置される。アンテナ室108内の底面部を構成する誘電体壁104上には,耐熱性を有し,誘電率が誘電体壁104よりも相対的に低い低誘電率化合物膜128を介して,高周波アンテナ130が配置される。高周波アンテナ130に高周波数及び高電力の高周波電力を印加した場合でも,誘電体壁104のアンテナ室108側面に沿面放電が生じることがない。
Claim (excerpt)：
処理室の少なくとも一壁を成す誘電体壁の外側に設けられた高周波アンテナに高周波電力を印加して前記処理室内に高周波誘導結合プラズマを励起し,前記処理室内に配置された被処理体に対してプラズマ処理を施す如く構成されたプラズマ処理装置において,少なくとも前記高周波アンテナと前記誘電体壁との間に,誘電率が前記誘電体壁よりも相対的に低い低誘電率化合物膜を介装することを特徴とする,プラズマ処理装置。
IPC (9)：
C23C 16/50 ,  C08L 59/00 ,  C08L 77/00 ,  C08L 79/08 ,  C08L101/12 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46
FI (9)：
C23C 16/50 ,  C08L 59/00 ,  C08L 77/00 ,  C08L 79/08 Z ,  C08L101/12 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 L
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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