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J-GLOBAL ID:200903028110367470
針状体及び針状体の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
河野 登夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001042373
Publication number (International publication number):2002239014
Application date: Feb. 19, 2001
Publication date: Aug. 27, 2002
Summary:
【要約】【課題】 所定のテーパ形状を有する針状体を容易に歩留り良く製造できると共に、針状体の高密度化を図れて製造効率を高めることができる針状体の製造方法を提供する。【解決手段】 マスク21を設けた試料(シリコンウェハ)20の表面から等方性エッチング(第1工程)を行って、先端部のある程度の形状を作成する(b)。厚さ方向にエッチング選択性を有する異方性エッチング(第2工程)を行って、穴を作成する(c)。再び等方性エッチング(第3工程)を行って、所望のテーパ形状を有する円錐状の先端部31aとそれに連なる円柱部31bとで構成される針状体31を作製する(d)。
Claim (excerpt):
先端に向かって細径化したテーパ状をなす先端部と該先端部に連なる長手方向にわたって同一径の基端部とを有することを特徴とするシリコン製の針状体。
IPC (4):
A61M 37/00
, A61M 5/158
, A61M 5/32
, B81C 1/00
FI (5):
A61M 37/00
, A61M 5/32
, B81C 1/00
, A61M 5/14 369 B
, A61M 5/14 369 D
F-Term (11):
4C066AA10
, 4C066BB01
, 4C066DD06
, 4C066FF03
, 4C066KK02
, 4C066PP04
, 4C167AA72
, 4C167CC01
, 4C167FF10
, 4C167GG03
, 4C167HH22
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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半導体基板内に垂直な中空針を形成する方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2001-549726
Applicant:ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティー・オブ・カリフォルニア
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マイクロ突起物アレイおよびマイクロ突起物の製造方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2002-562213
Applicant:ベクトン・ディキンソン・アンド・カンパニー
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マイクロニードル構造及びその製造方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2002-522956
Applicant:ナノパスリミテッド
-
経角質薬物放出システム
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平9-506273
Applicant:ベーリンガーインゲルハイムコマンディトゲゼルシャフト
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