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J-GLOBAL ID：200903028223373884

熱電半導体材料

Inventor： 越智 康雄 ,  大原 和夫
Applicant, Patent owner： 株式会社オハラ
Agent (1)： 荒船 博司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994338893
Publication number (International publication number)：1995291627
Application date： Dec. 29, 1994
Publication date： Nov. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 広い温度領域、例えば100K(約-173°C)〜1000K(約727°C)の範囲で優れた性能示数Zを示し、安定して使用することの可能な熱電半導体材料を提供する。【構成】 この熱電半導体材料は、Inを含み、正スピネル型結晶構造又は逆スピネル型結晶構造をなす複酸化物である。また、Mg及びCdの一方又は両方を含有させてもよいし、さらに、微量添加物として、周期律表のIa、IIa、IVa、Ib、IIIb、IVb族の第2から第6周期の元素から選ばれる少なくとも1種の元素を0.01〜5.0原子%の濃度で含有させてもよいし、微量添加物として、鉄族遷移金属元素(Fe、Co、Niなど)及び希土類元素(Sc、Y及び原子番号57〜71のランタノイド)から選ばれる少なくとも1種の元素を0.01〜5.0原子%の濃度で含有させてもよい。【効果】 従来にない広い温度範囲で安定して使用可能な熱電半導体材料を安価に提供し得る。

Claim (excerpt)：

インジウムを含み、正スピネル型結晶構造又は逆スピネル型結晶構造をなす複酸化物であることをことを特徴とする熱電半導体材料。

IPC (2)：

C01G 15/00 ,  H01L 35/14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 酸化物熱電変換材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-019411   Applicant：電気化学工業株式会社
• 電気伝導性酸化物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-344693   Applicant：ホーヤ株式会社
• ドープ半導体基材を用いた熱電材料および熱電素子または熱電素子対
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-038632   Applicant：日産自動車株式会社