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J-GLOBAL ID：200903028250275363

酸化物半導体発光素子

Inventor： 齊藤 肇 ,  川崎 雅司
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社 ,  川崎 雅司
Agent (3)： 青山 葆 ,  河宮 治 ,  山崎 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003023991
Publication number (International publication number)：2004235532
Application date： Jan. 31, 2003
Publication date： Aug. 19, 2004
Summary：

【課題】製造工程を簡略化できると共に、製造コストを低減できて、結晶性に優れた発光素子構造を多層反射膜上に形成できる酸化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】サファイア基板1上に、多層反射膜2、n型ZnOコンタクト層3、n型Mg0.1Zn0.9Oクラッド層4、ノンドープ量子井戸発光層5、p型Mg0.1Zn0.9Oクラッド層6およびp型ZnOコンタクト層7を積層している。多層反射膜2はLiGaO2層とZnO層とを交互に積層することで構成している。これにより、多層反射膜2を構成する層の数が少なくても、多層反射膜2の反射率が高くなる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板上に、少なくとも、第1導電型クラッド層、活性層および第2導電型クラッド層が順次積層され、 上記第1導電型クラッド層、上記活性層および上記第2導電型クラッド層が酸化物半導体より成り、 上記基板と上記第1導電型クラッド層との間に、酸化物半導体と絶縁体酸化物とを交互に積層して成る多層反射膜を有することを特徴とする酸化物半導体発光素子。

IPC (3)：

H01S5/327 ,  H01S5/125 ,  H01S5/187

FI (3)：

H01S5/327 ,  H01S5/125 ,  H01S5/187

F-Term (14)：

5F073AA03 ,  5F073AA04 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073CA22 ,  5F073CB05 ,  5F073CB14 ,  5F073CB22 ,  5F073DA06 ,  5F073DA21 ,  5F073EA07 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• P型電極と活性層との間に効果的な正孔拡散のためのスペーサを備えるGaN面発光レーザダイオードおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-018803   Applicant：三星電機株式会社
• 窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-116613   Applicant：日亜化学工業株式会社