多層リソグラフィープロセスに関する新規な平坦化方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (2)：渡辺望稔 , 三和晴子
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003571794
Publication number (International publication number)：2005532576
Application date： Feb. 25, 2003
Publication date： Oct. 27, 2005
Summary：

本発明は、リソグラフィー・アプリケーションのために、広範囲にわたる凹凸形状の形状密度を有する基板表面を平坦化するのに利用できうる接触平坦化法に関する。これらのプロセスは、リソグラフィー・アプリケーションのために、熱硬化性、光硬化性、および熱可塑性材料を使用して、凹凸形状の基板表面の上に全体的に平坦化された表面を提供する。全体的な平坦性と均一な膜厚とを有した付加的な膜は、平坦化された表面の上に得ることができる。これら本発明に係る方法は、特定のアプリケーションで要求される一連の適当なコーティングにおいて、最下部のARコート、フォトレジスト、ハードマスク、ならびに、他の有機および無機ポリマーを含む、単層、二層、または、多層処理とともに利用できる。さらに詳しくは、本発明は、フォトリソグラフィープロセスの範囲が大幅に向上されたデュアルダマシンプロセスやバイレイヤプロセスにおいて使用する、全体的に平坦な表面を作製する。さらに、本発明は、インプリントリソグラフィー、ナノインプリントリソグラフィー、ホットエンボスリソグラフィー、およびスタンピングパターントランスファーの技術を用いて、パターンを転写するための全体的に平坦な表面を提供する。

Claim (excerpt)：

(a) 表面を有し、前記表面に複数の凹凸形状の加工部を含む基板を提供する工程と、 (b) 前記表面上に平坦化層を形成する工程と、 (c) 前記平坦化層と部材の平坦面とを、十分な時間、圧力、および温度で接触させて、前記平坦面の平坦性を前記平坦化層に転写する工程と、 (d) 前記平坦化層上に一つ以上の中間層を選択的に形成する工程と、 (e) 超小型電子の前駆体を作製するためのイメージング層を、前記中間層がある場合は前記中間層上に、前記中間層が無い場合は前記平坦化層上に形成する工程と、 (f) 前記イメージング層上にパターンを形成する工程と、 (g) 前記中間層がある場合は前記中間層と前記平坦化層とに前記パターンを転写する前記パターンの転写工程とを含み、前記パターンの転写工程後に、前記基板の表面が、元々の凹凸の少なくとも一部を保時することを特徴とする超小型電子の前駆体を形成する方法。

IPC (5)：

G03F7/11 , B81C1/00 , G03F7/09 , H01L21/027 , H01L21/3205

FI (5)：

G03F7/11 503 , B81C1/00 , G03F7/09 501 , H01L21/88 K , H01L21/30 578

F-Term (20)：

2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AB17 , 2H025AC01 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025AD05 , 2H025BC13 , 2H025BC31 , 2H025BE00 , 2H025CB00 , 2H025DA20 , 2H025DA40 , 2H025FA41 , 5F033QQ00 , 5F033QQ74 , 5F033RR04 , 5F033RR21 , 5F033XX01 , 5F046AA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

平坦化膜の形成方法およびその形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-026105 Applicant：ソニー株式会社
特開昭63-253630
半導体加工片の処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-280775 Applicant：株式会社東芝

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