薄膜形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山川政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996288012
Publication number (International publication number)：1998135198
Application date： Oct. 30, 1996
Publication date： May. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】より簡便に表面の平坦な薄膜が形成できるようにすることを目的とする。【解決手段】 SOGによる絶縁膜3を塗布形成した後、その表面にフィルム(平板)4をのせ、半導体基板1を加熱しながら、その裏面より平面研磨した石英基板を介して加重をすることで加圧して平坦化を行う。

Claim (excerpt)：

所望とする材料を含む塗布溶液を基板上に塗布して塗布膜を形成する塗布膜形成工程と、その塗布膜表面に平板表面を押しつける平坦化工程とにより、前記材料からなる薄膜を前記基板上に形成することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/312 , H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/312 A , H01L 21/316 G , H01L 21/90 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

平坦化膜の形成方法およびその形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-026105 Applicant：ソニー株式会社
層間絶縁膜の平坦化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-103533 Applicant：ソニー株式会社
全体的プレーナ装置及びその方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-013038 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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