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J-GLOBAL ID：200903028329011981

結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶およびIII族窒化物半導体デバイス

Inventor：
皿山 正二

About 皿山 正二

, 
島田 昌彦

About 島田 昌彦

, 
山根 久典

About 山根 久典


Applicant, Patent owner：
株式会社リコー

About 株式会社リコー


Agent (1)： 植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000318723
Publication number (International publication number)：2002128586
Application date： Oct. 19, 2000
Publication date： May. 09, 2002
Summary：
【要約】【課題】 工程を複雑化させることなく、高価な反応容器を用いることなく、かつ、結晶の大きさが小さくなることなく、高性能の発光ダイオードやLD等のデバイスを作製するための実用的な大きさのIII族窒化物結晶を提供し、また、このようなIII族窒化物結晶を成長させることの可能な結晶成長方法および結晶成長装置を提供する。【解決手段】 第1の反応容器101内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む混合融液102と第1の反応容器101の外部から導入される窒素原料とを用いて、III族窒化物結晶を成長させるときに、アルカリ金属蒸気を第1の反応容器101内に閉じ込める。
Claim (excerpt)：
第1の反応容器内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む混合融液と第1の反応容器の外部から導入される窒素原料とを用いて、III族窒化物結晶を成長させるときに、アルカリ金属蒸気を第1の反応容器内に閉じ込めることを特徴とする結晶成長方法。
IPC (4)：
C30B 9/12 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (4)：
C30B 9/12 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/343
F-Term (27)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CC01 ,  4G077EA06 ,  4G077EC08 ,  4G077EG21 ,  4G077HA02 ,  4G077LA01 ,  4G077LA03 ,  4G077LA05 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CB05 ,  5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073DA02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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