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J-GLOBAL ID：200903028634702277

窒化物単結晶製造方法及び製造装置

Inventor： 上原 一浩 ,  佐々木 孝友 ,  森 勇介 ,  吉村 政志
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所 ,  佐々木 孝友 ,  森 勇介 ,  吉村 政志
Agent (1)： 安田 敏雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000261669
Publication number (International publication number)：2002068896
Application date： Aug. 30, 2000
Publication date： Mar. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】 核発生の制御を可能とし、比較的低温、低圧下において、高品質で大きなバルク状窒化物単結晶を得るための製造方法と製造装置を提供する。【解決手段】 窒化物単結晶成長原料中に種結晶を位置させ、前記種結晶を局所的に加熱して結晶成長を行う。特に、窒化物単結晶成長原料を結晶が殆ど成長しない低温度下に維持しておき、種結晶を局所的に加熱して前記種結晶近傍の前記成長原料を結晶成長可能な高温度下に維持して結晶成長を行うことがより好ましい。

Claim (excerpt)：

窒化物単結晶成長原料中で種結晶を保持し、前記種結晶を局所的に加熱して結晶成長を行うことを特徴とする窒化物単結晶製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/38 ,  C30B 15/00

FI (2)：

C30B 29/38 D ,  C30B 15/00 P

F-Term (7)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CF10 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077EG20 ,  4G077HA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 窒化物結晶の成長方法およびGaN結晶の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-221628   Applicant：日立電線株式会社
• III-V族窒化物基板ボウル、並びにIII-V族窒化物基板ボウル製造法及び使用法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-567830   Applicant：アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド