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J-GLOBAL ID：200903028348219160

プラズマ処理装置

Inventor： 桃井 義典 ,  横川 賢悦 ,  伊澤 勝 ,  根岸 伸幸
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000383175
Publication number (International publication number)：2002184764
Application date： Dec. 18, 2000
Publication date： Jun. 28, 2002
Summary：

【要約】【課題】従来のプラズマ処理装置では、被処理体周辺部からのみ排気を行っているため、プラズマ処理に寄与する活性種や副生成ガスの面内分布が必ずしも均一にはならない。【解決手段】被処理体8に対する対向面に複数のガス噴出口18を備えるガス噴出手段を備え、前記被処理体8に処理を施すプラズマ処理装置において、2種類以上の互いに異なる流量比からなる混合ガスを、互いに異なる前記ガス噴出口から噴出させることで、被処理体に均一なプラズマ処理を施すことが可能となる。また、被処理体対向面にガス吸入口を設けることでも、処理体に均一なプラズマ処理を施すことが可能となる。

Claim (excerpt)：

被処理体に対する対向面に複数のガス噴出口を備えるガス噴出手段を有し、該ガス噴出手段により供給されるガスをプラズマ化して、前記被処理体に処理を施すプラズマ処理装置において、前記ガス噴出手段が、2種類以上の、互いに異なる流量比からなる混合ガスを互いに異なる前記ガス噴出口から噴出するよう構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (2)：

H05H 1/46 C ,  H01L 21/302 B

F-Term (16)：

5F004AA01 ,  5F004AA05 ,  5F004BA14 ,  5F004BB11 ,  5F004BB32 ,  5F004BC02 ,  5F004BC03 ,  5F004CA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA20 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB23 ,  5F004DB26

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 電子デバイスの製造時におけるプラズマ処理及び装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平8-500593   Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
• プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-027056   Applicant：ソニー株式会社