III族窒化物の結晶成長方法および結晶成長装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：植本雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002009651
Publication number (International publication number)：2003212696
Application date： Jan. 18, 2002
Publication date： Jul. 30, 2003
Summary：

【要約】【課題】安定してIII族窒化物の結晶成長を行なう。【解決手段】反応容器12内で、アルカリ金属とIII族金属を含む物質とが混合融液24を形成し、該混合融液24と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物25を結晶成長させるときに、反応容器12は、混合融液24と接する部分が緻密質の材質で構成されている。

Claim (excerpt)：

反応容器内で、アルカリ金属とIII族金属を含む物質とが混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物の結晶成長方法において、混合融液と接する部分を緻密質の材質で構成した反応容器内で、III族窒化物を結晶成長させることを特徴とするIII族窒化物の結晶成長方法。

IPC (2)：

C30B 29/38 , C30B 7/06

FI (2)：

C30B 29/38 D , C30B 7/06

F-Term (10)：

4G077AA02 , 4G077BE15 , 4G077CB01 , 4G077CB06 , 4G077EA02 , 4G077EA04 , 4G077EA06 , 4G077EG02 , 4G077HA02 , 4G077HA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

III族窒化物結晶および結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-175577 Applicant：株式会社リコー
結晶成長方法および結晶成長装置および立方晶系III族窒化物結晶および半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-295039 Applicant：株式会社リコー
ナトリウム-硫黄電池の陰極室
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-050128 Applicant：株式会社ユアサコーポレーション

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