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J-GLOBAL ID：200903033428770111

結晶成長方法および結晶成長装置および立方晶系III族窒化物結晶および半導体デバイス

Inventor： 皿山 正二 ,  島田 昌彦 ,  山根 久典
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999295039
Publication number (International publication number)：2001119103
Application date： Oct. 18, 1999
Publication date： Apr. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】 基板をチップ状に切り出す際の歩留りを向上させ、基板をチップ状に切り出す際のコストを著しく低減させることの可能な結晶成長方法および結晶成長装置および立方晶系III族窒化物結晶および半導体デバイスを提供する。【解決手段】 反応容器101内で、アルカリ金属および少なくともIII族金属元素(例えば、Ga(ガリウム))を含む物質(102)と少なくとも窒素元素を含む物質(103)とから、III族金属元素と窒素元素とにより構成される立方晶系のIII族窒化物を結晶成長させる。

Claim (excerpt)：

アルカリ金属および少なくともIII族金属元素を含む物質と少なくとも窒素元素を含む物質とから、III族金属元素と窒素元素とにより構成される立方晶系のIII族窒化物を結晶成長させることを特徴とする結晶成長方法。

IPC (3)：

H01S 5/323 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01S 5/323 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C

F-Term (20)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077CC06 ,  4G077EA01 ,  5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA63 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB12 ,  5F073DA02 ,  5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

• III族窒化物半導体基板とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-293528   Applicant：日本電信電話株式会社
• 窒化物結晶の成長方法およびGaN結晶の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-221628   Applicant：日立電線株式会社
• 特開昭51-151299
  
• 特開昭60-005007
  
• 窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-056047   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-090674   Applicant：松下電子工業株式会社
• 窒化物結晶の製造方法、混合物、液相成長方法、窒化物結晶、窒化物結晶粉末、および気相成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-112052   Applicant：日立電線株式会社
• III族窒化物結晶および結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-175577   Applicant：株式会社リコー
• 結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-237195   Applicant：株式会社リコー
• 結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-277045   Applicant：株式会社リコー, 島田昌彦, 山根久典

Cited by examiner (12)

• III族窒化物半導体基板とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-293528   Applicant：日本電信電話株式会社
• 窒化物結晶の成長方法およびGaN結晶の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-221628   Applicant：日立電線株式会社
• 特開昭51-151299
  
• 特開昭60-005007
  
• 特開昭51-151299
  
• 窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-056047   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 特開昭60-005007
  
• 窒化物結晶の製造方法、混合物、液相成長方法、窒化物結晶、窒化物結晶粉末、および気相成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-112052   Applicant：日立電線株式会社
• III族窒化物結晶および結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-175577   Applicant：株式会社リコー
• 結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-237195   Applicant：株式会社リコー
• 窒化ガリウム結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-090674   Applicant：松下電子工業株式会社
• 結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-277045   Applicant：株式会社リコー, 島田昌彦, 山根久典

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• Morphology and characterization of GaN single crystals grown in a Na flux

Cited by examiner (1)

• Morphology and characterization of GaN single crystals grown in a Na flux