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J-GLOBAL ID：200903033428770111
結晶成長方法および結晶成長装置および立方晶系III族窒化物結晶および半導体デバイス
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999295039
Publication number (International publication number)：2001119103
Application date： Oct. 18, 1999
Publication date： Apr. 27, 2001
Summary：
【要約】【課題】 基板をチップ状に切り出す際の歩留りを向上させ、基板をチップ状に切り出す際のコストを著しく低減させることの可能な結晶成長方法および結晶成長装置および立方晶系III族窒化物結晶および半導体デバイスを提供する。【解決手段】 反応容器101内で、アルカリ金属および少なくともIII族金属元素(例えば、Ga(ガリウム))を含む物質(102)と少なくとも窒素元素を含む物質(103)とから、III族金属元素と窒素元素とにより構成される立方晶系のIII族窒化物を結晶成長させる。
Claim (excerpt)：
アルカリ金属および少なくともIII族金属元素を含む物質と少なくとも窒素元素を含む物質とから、III族金属元素と窒素元素とにより構成される立方晶系のIII族窒化物を結晶成長させることを特徴とする結晶成長方法。
IPC (3)：
H01S 5/323
, C30B 29/38
, H01L 33/00
H01S 5/323
, C30B 29/38 D
, H01L 33/00 C
4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077CC04
, 4G077CC06
, 4G077EA01
, 5F041AA40
, 5F041AA44
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA57
, 5F041CA63
, 5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB12
, 5F073DA02
, 5F073EA28
Cited by examiner (10)
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III族窒化物半導体基板とその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-293528
Applicant：日本電信電話株式会社
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窒化物結晶の成長方法およびGaN結晶の成長方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-221628
Applicant：日立電線株式会社
-
特開昭51-151299
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Article cited by the Patent：
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