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J-GLOBAL ID：200903028416643757

メモリ素子

Inventor： 和田 恭雄 ,  マーク・ラトビッチ
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993140331
Publication number (International publication number)：1994350044
Application date： Jun. 11, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 新規なメモリ素子の構造、さらに詳述すれば単一電子トンネリング現象を利用した高性能メモリ素子の提供。【構成】 メモリを構成する素子として、単一電子トランジスタ(Single Electron Transistor:SET)を用いることにより、より高性能でかつ高密度なメモリ素子を実現する。

Claim (excerpt)：

量子効果によりエネルギレベルが分離している領域を少なくとも一部に持つことを特徴とするメモリ素子。

IPC (4)：

H01L 27/10 311 ,  H01L 27/10 371 ,  G11C 11/21 ,  H01L 49/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 一電子トンネルトランジスタ及びその集積回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-265940   Applicant：株式会社日立製作所
• 記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-218767   Applicant：日本電気株式会社