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J-GLOBAL ID：200903028425756939

薄膜キャパシタおよびこれを有する半導体装置

Inventor： ジョン ディビット ベニキ ,  塩賀 健司 ,  栗原 和明
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006100595
Publication number (International publication number)：2007273892
Application date： Mar. 31, 2006
Publication date： Oct. 18, 2007
Summary：

【課題】薄膜キャパシタのリーク電流を低減し、寿命を改善する。【解決手段】薄膜キャパシタは、下部電極(12)と、上部電極(14)と、前記下部電極と上部電極の間に挟持される誘電体膜(13)とを有し、前記誘電体膜は、少なくとも、バリウム(Ba)、ストロンチウム(Sr)、チタニウム(Ti)のカチオンと、酸素(O)のアニオンを含み、前記イオンのうち、Sr,Ti,Oの組成は膜厚方向に均一であり、前記上部電極と下部電極の少なくとも一方の電極との界面近傍領域において、ペロブスカイト相のバリウムイオン(Ba-I)の平均濃度[atom%]が、非ペロブスカイト相のバリウムイオン(Ba-II)の平均濃度[atom%]よりも低く設定されているBa-I低濃度領域(13a)を有し、R=(Ba-I濃度[atom%])/(Ba-I濃度[atom%]+Ba-II濃度[atom%])とすると、0.1<R<0.2である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

下部電極と、上部電極と、前記下部電極と上部電極の間に挟持される誘電体膜とを有する薄膜キャパシタにおいて、 前記誘電体膜は、少なくとも、バリウム(Ba)、ストロンチウム(Sr)、チタニウム(Ti)のカチオンと、酸素(O)のアニオンを含み、 前記イオンのうち、Sr,Ti,Oの組成は膜厚方向に均一であり、 前記上部電極と下部電極の少なくとも一方の電極との界面近傍領域において、ペロブスカイト相のバリウムイオン(Ba-I)の平均濃度[atom%]が、非ペロブスカイト相のバリウムイオン(Ba-II)の平均濃度[atom%]よりも低く設定されているBa-I低濃度領域を有し、 R=(Ba-I濃度[atom%])/(Ba-I濃度[atom%]+Ba-II濃度[atom%])とすると、0.1<R<0.2である ことを特徴とする薄膜キャパシタ。

IPC (4)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (3)：

H01L27/10 651 ,  H01L27/10 621Z ,  H01L27/04 C

F-Term (29)：

5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC15 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F083AD10 ,  5F083AD21 ,  5F083GA06 ,  5F083HA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083JA56 ,  5F083MA04 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特許第2929435号公報
  

Cited by examiner (3)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-183692   Applicant：沖電気工業株式会社
• 特許第2929435号
  
• 誘電体膜及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-209955   Applicant：松下電器産業株式会社