Pat

J-GLOBAL ID：200903028476866240

磁気センサ

Inventor： 今井 秀秋 ,  吉田 孝志
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994184322
Publication number (International publication number)：1996070146
Application date： Aug. 05, 1994
Publication date： Mar. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 高感度でかつ信頼性に優れた磁気センサを提供することを目的とする。【構成】 Si/SiGeのヘテロ構造からなる積層薄膜からなるホール素子および該ヘテロ構造からなるトランジスタを磁気センサからの信号を処理するIC回路に利用した構造の複合磁気センサである。【効果】 高感度でかつ高信頼性の磁気センサに関し、信号処理回路も一体になっているので、広い分野で使用することができるセンサである。

Claim (excerpt)：

感磁部がSiGe混晶層にサンドイッチされたSi超薄膜層、および該SiGe混晶層に隣接して電子供給層を設けたSi/SiGeのヘテロ構造からなることを特徴とするホール素子。

IPC (2)：

H01L 43/06 ,  G01R 33/07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-091273
  
• 電界効果型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-239241   Applicant：株式会社日立製作所
• バイポーラトランジスタおよびその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-189530   Applicant：ローム株式会社
• 特開平3-091273