Pat
J-GLOBAL ID：200903028504042186

絶縁ゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法

Inventor：
築野 孝

About 築野 孝


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (7)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007278769
Publication number (International publication number)：2009111004
Application date： Oct. 26, 2007
Publication date： May. 21, 2009
Summary：
【課題】ゲート絶縁膜の信頼性を向上させることが可能な絶縁ゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】MISFET1は、n+SiC基板10と、n+SiC基板10上に形成されたn-SiC層20と、n-SiC層20において、n+SiC基板10側の主面である第1の主面20Aとは反対側の主面である第2の主面20Bを含むように形成されたpウェル21と、pウェル21内に第2の主面20Bを含ように形成され、n-SiC層20よりも高濃度のn型の不純物を含むn+ソース領域22と、第2の主面20Bに接触するようにn-SiC層20上に形成され、ダイヤモンドライクカーボンからなるゲート絶縁膜30と、ゲート絶縁膜30上に形成されたゲート電極40とを備えている。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板と、 前記基板上に形成された第1導電型の半導体層と、 前記半導体層において、前記基板側の主面である第1の主面とは反対側の主面である第2の主面を含むように形成された、前記第1導電型とは導電型の異なる第2導電型の第2導電型領域と、 前記第2導電型領域内に前記第2の主面を含ように形成され、前記半導体層よりも高濃度の前記第1導電型の不純物を含む高濃度第1導電型領域と、 前記第2の主面に接触するように前記半導体層上に形成され、ダイヤモンドライクカーボンからなる絶縁膜と、 前記絶縁膜上に形成された電極とを備えた、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。
IPC (2)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/12
FI (4)：
H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652E ,  H01L29/78 652L
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM