炭化珪素半導体装置とその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005088480
Publication number (International publication number)：2006269924
Application date： Mar. 25, 2005
Publication date： Oct. 05, 2006
Summary：

【課題】炭化珪素ウェハ上にUMOSFETを作製する場合、トレンチゲートを形成するためのトレンチ側面が面方位の違いにより、酸化膜の成膜厚さにばらつきがあり、また多結晶シリコンから変換した酸化膜表面の平坦性が悪いという課題があった。酸化膜表面の平坦性を向上させることにより絶縁耐圧の向上を図る。【解決手段】n型4H-SiCあるいは6H-SiC基板1上に順次、熱CVD法によりn型ドリフト層2、p型ベース層3、n型ソース層4をエピタキシャル成長で形成させる。その基板1をソース層4、ベース層3を部分的に完全に除去できる深さまで反応性イオンエッチング法により垂直にエッチングして、トレンチ11を形成する。トレンチ11を含む凹凸のある基板表面に、アモルファス構造の非晶質シリコン膜14を減圧CVD法を用いて成膜する。続いて窒素雰囲気下で焼成することによって非晶質シリコン膜14を固相で多結晶化することによって多結晶シリコン膜16を形成する。続いて常圧雰囲気で酸化処理し、多結晶シリコン膜16を酸化膜15に変換する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

炭化珪素単結晶基板上に設けられたトレンチの内面に酸化膜を形成する方法において、少なくともトレンチの内面にアモルファスシリコン膜を成膜し、該アモルファスシリコン膜を固相で多結晶シリコン膜とし、該多結晶シリコン膜を酸化して酸化膜とすることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L29/78 652K , H01L29/78 652T , H01L29/78 653A , H01L29/78 658F

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

炭化珪素半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-009625 Applicant：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所
炭化珪素半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-050497 Applicant：株式会社デンソー
電界効果トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-216930 Applicant：株式会社日立製作所

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Cited by examiner (7)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-145114 Applicant：株式会社豊田中央研究所
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-164396 Applicant：株式会社デンソー
炭化珪素半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-077876 Applicant：株式会社デンソー

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Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

High-Voltage(3kV) UMOSFETs in 4H-SiC

Cited by examiner (1)

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