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J-GLOBAL ID：200903028543986566

金属層から単層カーボンナノチューブを製造する方法

Inventor：
テネント、ハワード

About テネント、ハワード

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チャング、ハイ - フォン

About チャング、ハイ - フォン

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マ、ジュン

About マ、ジュン


Applicant, Patent owner：
ハイピリオン カタリシス インターナショナル インコーポレイテッド

About ハイピリオン カタリシス インターナショナル インコーポレイテッド


Agent (10)： 特許業務法人浅村特許事務所 ,  浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  金森 久司 ,  長沼 暉夫 ,  池田 幸弘 ,  梶原 斎子 ,  新村 守男 ,  長瀬 裕子 ,  井上 洋一
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009503276
Publication number (International publication number)：2009538809
Application date： Mar. 29, 2007
Publication date： Nov. 12, 2009
Summary：
単層カーボンナノチューブを製造する方法が提供される。金属層の片側に接触した1以上のフラーレンの層及び金属層の反対側に接触した固体炭素源を含む装置が調製される。フラーレン/金属層/固体炭素源の装置は、次いでフラーレンが昇華する温度より低い温度に加熱される。その他には、固体炭素源の代わりに非固体炭素源を使用することができ、或いは金属層は単純に炭素原子で飽和することができる。単層カーボンナノチューブの集合体が金属層のフラーレン側に成長し、該集合体の中の単層カーボンナノチューブの少なくとも80%は該集合体中の単層カーボンナノチューブの直径Dの±5%以内の直径を持ち、該直径Dは0.6〜2.2nmの範囲内にある。
Claim (excerpt)：
炭素源から狭い直径分布の単層カーボンナノチューブの集合体を製造する方法であって、 (a)金属層、 該金属層の片一方の側に接触した少なくとも1層のフラーレン、及び 該金属層の他方の側に接触した固体炭素源 を含む積層体(arrangement)を調製し、 (b)該積層体を、該フラーレンが昇華する温度より低く、該フラーレン及び該炭素源が金属層に溶解する温度に加熱し、 (c)単層カーボンナノチューブの集合体を成長させることを含み、該集合体中の単層ナノチューブの少なくとも80%は該集合体の中に存在する単層カーボンナノチューブの直径D(a single walled carbon nanotube diameter D)の±5%の直径を持ち、該直径Dは0.6〜2.2nmの範囲にある、方法。
IPC (1)：
C01B 31/02
FI (1)：
C01B31/02 101F
F-Term (33)：
4G146AA12 ,  4G146AB06 ,  4G146AB07 ,  4G146AC02A ,  4G146AC02B ,  4G146AC16A ,  4G146AC16B ,  4G146AC30A ,  4G146AC30B ,  4G146BA04 ,  4G146BA12 ,  4G146BA13 ,  4G146BA22 ,  4G146BA40 ,  4G146BA42 ,  4G146BA45 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC01 ,  4G146BC07 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC33A ,  4G146BC33B ,  4G146BC34A ,  4G146BC34B ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  4G146DA03 ,  4G146DA22 ,  4G146DA32 ,  4G146DA40
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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