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J-GLOBAL ID：200903028549244022

研磨方法並びに研磨装置

Inventor： 渡邉 純二 ,  桐野 宙治
Applicant, Patent owner： 財団法人くまもとテクノ産業財団
Agent (2)： 藤島 洋一郎 ,  三反崎 泰司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006076788
Publication number (International publication number)：2007253244
Application date： Mar. 20, 2006
Publication date： Oct. 04, 2007
Summary：

【課題】SiCやダイヤモンド等からなる基板の表面を、サブサーフェスダメージを残すことなく極めて平滑に、かつ能率よく研磨することが可能な研磨方法および研磨装置を提供する。【解決手段】裏面に反射膜11を備えた研磨定盤10と、研磨定盤10の表面側に配置された紫外光源ランプ12と、赤外光源ランプ14とを備えている。研磨定盤10の表面に基板16の被研磨面16aを押し付けた状態で、紫外光Lを研磨定盤10の表面側から所定の光束で照射しつつ、相対的に擦動させることにより研磨を行う。研磨定盤10に入射した紫外光Lは、研磨定盤10内を透過してその裏面の反射膜11において反射することにより、被研磨面16aの全面に対して照射される。被研磨面16aに形成された酸化膜が除去されて研磨が進行する。紫外光を有効に活用することで、極めて平滑で、かつ能率的な研磨を実現すると同時に、装置が小型化し、設計の自由度が向上する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

研磨対象の被研磨面を、紫外光に対して透明性を有すると共に裏面側に反射膜を備えた研磨定盤の表面に接触させると共に、 紫外光を、前記研磨定盤の表面側から入射し、前記反射膜において反射させることにより前記研磨対象の被研磨面に照射しつつ前記研磨対象を前記研磨定盤に対して相対的に擦動させることにより研磨する ことを特徴とする研磨方法。

IPC (4)：

B24B 1/00 ,  B24B 37/00 ,  B24B 37/04 ,  H01L 21/304

FI (4)：

B24B1/00 B ,  B24B37/00 Z ,  B24B37/04 A ,  H01L21/304 621Z

F-Term (16)：

3C049AA07 ,  3C049AA09 ,  3C049AC01 ,  3C049BA02 ,  3C049BA09 ,  3C049BA14 ,  3C049BC02 ,  3C049CA05 ,  3C049CB02 ,  3C049CB03 ,  3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• ワイヤボンディング方法とその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-279106   Applicant：松下電器産業株式会社