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J-GLOBAL ID：200903028582637803

マイクロデバイス及びその製造方法

Inventor：
山口 隆行

About 山口 隆行


Applicant, Patent owner：
株式会社リコー

About 株式会社リコー


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001265900
Publication number (International publication number)：2003075386
Application date： Sep. 03, 2001
Publication date： Mar. 12, 2003
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 Si(シリコン)基板を用いたマイクロデバイスおよびその製造方法に関し、シリコン基板に異方性エッチングにより形成した堀の上に薄膜ブリッジを形成したマイクロデバイスにおいて、堀の深さを正確にコントロールでき、良品率の向上と、堀底面や裏面の凹凸が発生しない高品質のマイクロデバイスを実現し、及びその効率的な製造方法を得る。【解決手段】 前記薄膜ブリッジが<110>方向と約30°もしくはそれと等価な角度を成すように異方性エッチングする。またその製造方法においては、Si(111)ウエハ上に形成したブリッジ材料薄膜に異方性エッチング用開口を設け、その上に保護材料を設けた後、前記異方性エッチング用開口内部を掘の深に異方性エッチングすることにより堀を形成し、該保護材料を除去した上で、Siを結晶異方性エッチングし、堀の上にブリッジする薄膜を形成する。
Claim (excerpt)：
Si(111)ウエハ表面にSi結晶異方性エッチングにより形成された掘と、前記掘上に延在された薄膜ブリッジとを備え、この薄膜ブリッジ表面に所要のセンサ用パターンまたは能動素子を配置してなるマイクロデバイスにおいて、前記薄膜ブリッジが<110>方向と約30°の角度を成すように異方性エッチングされたものであることを特徴とするマイクロデバイス。
IPC (3)：
G01N 27/18 ,  G01N 27/12 ,  H01L 49/00
FI (4)：
G01N 27/18 ,  G01N 27/12 B ,  G01N 27/12 G ,  H01L 49/00 Z
F-Term (22)：
2G046AA01 ,  2G046AA09 ,  2G046BA01 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BE04 ,  2G046EA02 ,  2G046EA08 ,  2G046EA09 ,  2G046EA11 ,  2G046FB01 ,  2G046FE31 ,  2G046FE38 ,  2G060AA01 ,  2G060AB00 ,  2G060AB02 ,  2G060AE19 ,  2G060BA05 ,  2G060BB05 ,  2G060BB09 ,  2G060JA01 ,  2G060JA02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • マイクロセンサ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-041485   Applicant：株式会社リコー
  • 熱式フローセンサおよびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-238248   Applicant：株式会社リコー, リコーエレメックス株式会社, リコー精器株式会社
  • 電熱器
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-268056   Applicant：株式会社リコー, リコーエレメックス株式会社
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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