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J-GLOBAL ID：200903060096952781

III-V族窒化物基板ボウル、並びにIII-V族窒化物基板ボウル製造法及び使用法

Inventor： バウド,ロバート,ピー. ,  フリン,ジェフリー,エス. ,  ブランデス,ジョージ,アール. ,  レッドウィング,ジョアン,エム. ,  ティシュラー,マイケル,エー.
Applicant, Patent owner： アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド
Agent (1)： 稲葉 良幸 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001567830
Publication number (International publication number)：2003527296
Application date： Mar. 12, 2001
Publication date： Sep. 16, 2003
Summary：

【要約】III-V族窒化物ボウル(インゴット)の天然窒化物シード上で高速度気相成長によって形成されるボウルは、ウエハーが、マイクロエレクトロニクス・デバイス構造の組み立てのために形成される。前記ボウルは、マイクロエレクトロニクス・デバイス品質を含み、例えば、1cmより大きい断面寸法、1mmを超える長さ、および1cm2あたり107未満欠陥の上面欠陥密度を有する。前記III-V族窒化物ボウルは、相応する天然III-V族窒化物シード結晶上で、気相エピタクシーによって、1時間に20μmを上回る成長速度で、III-V族窒化物材料を成長させて形成される。

Claim (excerpt)：

マイクロエレクトロニクス・デバイス品質の(Al,Ga,In)Nボウル。

F-Term (10)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EA02 ,  4G077EE03 ,  4G077EE04 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB04 ,  4G077TG02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• GaN単結晶基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-183446   Applicant：住友電気工業株式会社
• 青色発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-238553   Applicant：三菱電線工業株式会社
• GaN単結晶基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-171276   Applicant：住友電気工業株式会社
• III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-062760   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平3-252175
  
• 特開平3-252175
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Final polishing of Ga-polar GaN substrates using reactive ion etching