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J-GLOBAL ID：200903028700010578

シリカ系有機被膜およびこれを備えた基材

Inventor：
渋谷 達彦

About 渋谷 達彦

, 
藤井 恭

About 藤井 恭


Applicant, Patent owner：
東京応化工業株式会社

About 東京応化工業株式会社


Agent (5)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003188938
Publication number (International publication number)：2004096085
Application date： Jun. 30, 2003
Publication date： Mar. 25, 2004
Summary：
【課題】高温プロセスに適用可能であり、配線間の微小なスペースを隙間無く埋め込むことができて、サイドエッチングの発生を防止することができるとともに、雰囲気温度の上昇に伴う脱ガスが少ない被膜を提供する。【解決手段】下記一般式(I)で表される化合物および一般式(II)で表される化合物からなる群より選ばれる1種以上からなる第1のアルコキシシラン化合物を、加水分解処理して得られる反応生成物を含む塗布液を、被処理物上に塗布して塗膜を形成し、該塗膜を酸素濃度1000ppm以下の雰囲気中で焼成してシリカ系有機被膜を形成する。または該第1のアルコキシシラン化合物と、下記一般式(III)で表される化合物からなる群より選ばれる1種以上からなる第2のアルコキシシラン化合物とを併用してもよい。【化1】【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
ポリオルガノシロキサンを含有する被膜であって、濃度0.5質量%のフッ化水素酸によるウェットエッチングにおけるエッチングレートが60オングストローム/分以下であることを特徴とするシリカ系有機被膜。
IPC (2)：
H01L21/312 ,  H01L21/768
FI (2)：
H01L21/312 C ,  H01L21/90 S
F-Term (36)：
5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM05 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ33 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR25 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F058AA10 ,  5F058AB05 ,  5F058AB10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD11 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BB04 ,  5F058BC08 ,  5F058BD10 ,  5F058BD19 ,  5F058BF02 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開平3-116733
  • 半導体装置およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-118584   Applicant：触媒化成工業株式会社
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-211699   Applicant：触媒化成工業株式会社, 富士通株式会社
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