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J-GLOBAL ID：200903028702063717
炭化珪素半導体装置の検査方法および検査装置、並びに炭化珪素半導体装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
酒井 昭徳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003081539
Publication number (International publication number)：2004289023
Application date： Mar. 24, 2003
Publication date： Oct. 14, 2004
Summary：
【課題】炭化珪素半導体よりなる半導体装置の積層欠陥の有無を短時間で検査すること。また、その検査時間も含めて炭化珪素半導体装置を短時間で製造すること。【解決手段】p型の炭化珪素半導体とn型の炭化珪素半導体からなるpn接合を有するSiCウェハー9に、この炭化珪素半導体のバンドギャップよりも大きなエネルギーを有するレーザー光2を照射する。そのレーザー照射によってSiCウェハー9から放射された光6を分光器4により分光し、特定波長の光の強度を光電子倍増管5により観測する。測定した光強度に基づいてpn接合よりなる半導体装置の特性劣化を判定する。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
p型の炭化珪素半導体とn型の炭化珪素半導体からなるpn接合を有する半導体ウェハーに、当該炭化珪素半導体のバンドギャップよりも大きなエネルギーを有するレーザー光を照射する工程と、
前記レーザー光の照射によって前記半導体ウェハーから放射された特定波長の光の強度を測定する工程と、
測定した光強度に基づいて前記pn接合よりなる半導体装置の特性劣化を判定する工程と、
を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の検査方法。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (4)：
4M106AA01
, 4M106BA05
, 4M106CA19
, 4M106CA21
