Pat

J-GLOBAL ID：200903028789592346

酸化亜鉛単結晶

Inventor： 吉岡 賢治 ,  米山 博 ,  前田 克己 ,  新倉 郁生 ,  佐藤 充 ,  伊藤 ますみ
Applicant, Patent owner： 東京電波株式会社 ,  三菱化学株式会社
Agent (1)： 長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004109729
Publication number (International publication number)：2004315361
Application date： Apr. 02, 2004
Publication date： Nov. 11, 2004
Summary：

【課題】 導電性に優れた高品質の酸化亜鉛(ZnO)単結晶を提供する。【解決手段】 結晶中の亜鉛以外の金属濃度が以下の式を満たすことを特徴とする酸化亜鉛単結晶。[-cM]/[+cM]≧3(式中 Mは亜鉛以外の金属を示し、[-cM]は酸化亜鉛結晶中の-c領域におけるMの濃度を、[+cM]は酸化亜鉛(ZnO)結晶中の+c領域におけるMの濃度を示すものとする。) 更に、亜鉛以外の金属(M)が2価の金属又は3価の金属であることが好ましい。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

結晶中の亜鉛以外の金属濃度が以下の式を満たすことを特徴とする酸化亜鉛単結晶。 [-cM]/[+cM]≧3 (式中 Mは亜鉛以外の金属を示し、[-cM]は酸化亜鉛結晶中の-c領域におけるMの濃度を、[+cM]は酸化亜鉛結晶中の+c領域におけるMの濃度を示すものとする。)

IPC (1)：

C30B29/16

FI (1)：

C30B29/16

F-Term (11)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB04 ,  4G077AB06 ,  4G077AB09 ,  4G077BB07 ,  4G077CB03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA05 ,  4G077HA11 ,  4G077KA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 圧電性半導体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-239653   Applicant：日本碍子株式会社

Cited by examiner (5)

• 酸化亜鉛単結晶の育成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-070414   Applicant：日本碍子株式会社
• 単結晶育成用容器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-255151   Applicant：東京電波株式会社
• 酸化亜鉛単結晶およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-016697   Applicant：高田雅介, 太平洋セメント株式会社
• 赤外光反射組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-095549   Applicant：住友ベークライト株式会社
• 圧電性半導体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-070416   Applicant：日本碍子株式会社